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IR2304ゲートの運転者半分BRDG DRVR 600V 60mA 220nsA 0.25 (VCC -2.5)
  • IR2304ゲートの運転者半分BRDG DRVR 600V 60mA 220nsA 0.25 (VCC -2.5)

IR2304ゲートの運転者半分BRDG DRVR 600V 60mA 220nsA 0.25 (VCC -2.5)

起源の場所 呼出し
ブランド名 Infineon
証明 ROHS
モデル番号 IR2304
製品詳細
製品名:
IR2304
条件:
原物100%
設置methodpe:
-40°C | 150°C (TJ) 200nsの100ns 8-DIP (0.300"、7.62mm)半橋
パッケージ:
DIP8
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
ゲートの運転者
製品の説明

                                                    IR2304ゲートの運転者半分BRDG DRVR 600V 60mA 220nsA 0.25 (VCC -2.5) 0IR2304データ用紙

プロダクト細部

記述

IR2304は高圧の、高速力MOSFETであり、indeのpendent高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を可能にし。論理の入力は3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は高い脈拍の野良犬を特色にする
最低の運転者の交差伝導のために設計されている賃貸料の緩衝段階。浮遊チャネルはある場合もある
600ボルトまで作動させる高い側面構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用される。

 

 

特徴

•+600Vにブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル。免疫がある否定的で一時的な電圧dV/dtに耐久性がある
•10からの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲
•両方のチャネルのための電圧閉鎖の下
•3.3V、5Vおよび15Vは互換性がある論理の入力を入れた
•交差伝導の防止の論理
•両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延
•よりよいノイズ耐性のためのより低いdi/dtのゲートの運転者
•内部100ns死時間
•入力との段階の出力
•無鉛で利用できるIR2304

指定

               
属性 属性値
製造業者 Infineon
製品カテゴリ ICの破片
シリーズ -
タイプ 半橋
包装
パッケージ場合 穴を通して
作動温度200ns、100ns
土台タイプ -40°C | 150°C (TJ)
製造者装置パッケージ 8-DIP (0.300"、7.62mm)
決断ビット2
データ インターフェイス独立した
電圧供給アナログ 非逆になること
電圧供給デジタル 600V
数のADCsDACs 
シグマ デルタ10ボルト| 20ボルト
S N比率ADCs DACs dbTyp0.8V、2.3V
動的範囲ADCs DACs dbTyp60mA、130mA

形態、パッケージ、機能多用性がある部品

記述

半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-DIP

 

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