IR2304は高圧の、高速力MOSFETであり、indeのpendent高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を可能にし。論理の入力は3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は高い脈拍の野良犬を特色にする
最低の運転者の交差伝導のために設計されている賃貸料の緩衝段階。浮遊チャネルはある場合もある
600ボルトまで作動させる高い側面構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用される。
•+600Vにブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル。免疫がある否定的で一時的な電圧dV/dtに耐久性がある
•10からの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲
•両方のチャネルのための電圧閉鎖の下
•3.3V、5Vおよび15Vは互換性がある論理の入力を入れた
•交差伝導の防止の論理
•両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延
•よりよいノイズ耐性のためのより低いdi/dtのゲートの運転者
•内部100ns死時間
•入力との段階の出力
•無鉛で利用できる
指定
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | Infineon |
製品カテゴリ | ICの破片 |
シリーズ | - |
タイプ | 半橋 |
包装 | 管 |
パッケージ場合 | 穴を通して |
作動温度 | 200ns、100ns |
土台タイプ | -40°C | 150°C (TJ) |
製造者装置パッケージ | 8-DIP (0.300"、7.62mm) |
決断ビット | 2 |
データ インターフェイス | 独立した |
電圧供給アナログ | 非逆になること |
電圧供給デジタル | 600V |
数のADCsDACs | |
シグマ デルタ | 10ボルト| 20ボルト |
S N比率ADCs DACs dbTyp | 0.8V、2.3V |
動的範囲ADCs DACs dbTyp | 60mA、130mA |
形態、パッケージ、機能多用性がある部品
記述
半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-DIP
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