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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | onsemi |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | FDN304PZ |
FDN304PZのデータ用紙
プロダクト細部
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | onsemi |
| 製品カテゴリ | 単一FETs - |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 包装 | 互い違いの包装 |
| 一部別名 | FDN304PZ_NL |
| 単位重量 | 0.001058 oz |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
| 技術 | Si |
| 作動温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| 土台タイプ | 表面の台紙 |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 製造者装置パッケージ | SuperSOT-3 |
| 構成 | 単一 |
| FETタイプ | MOSFETのP-Channel、金属酸化物 |
| パワー最高 | 460mW |
| トランジスター タイプ | 1つのP-Channel |
| VDSS –下水管源の電圧 | 20V |
| 入れられたキャパシタンス | 1310pF @ 10V |
| FET特徴 | 論理のレベルのゲート、1.8Vドライブ |
| 現在連続的下水管ID25°C | 2.4A （Ta） |
| Rds最高IDVgs | 52 mOhm @ 2.4A、4.5V |
| Vgs Th最高ID | 1.5V @ 250μA |
| ゲート充満Qg Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Pd力消滅 | 500 MW |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| 落下時間 | 15 ns |
| 立上り時間 | 15 ns |
| Vgsゲート源電圧 | 8ボルト |
| ID （下水管の流れ） | 2.4 A |
| Vds下水管源故障電圧 | - 20ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 52のmOhms |
| トランジスター極性 | P-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 40 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 15 ns |
| 相互コンダクタンス | 12 S |
| チャネル モード | 強化 |
| Part#製造業者 | 記述 | 製造業者 | 比較しなさい |
| FDN302PD87Z | 小さい信号のField-Effectのトランジスター、2.4A I （D）、20Vの1要素、P-Channel、ケイ素、金属酸化膜半導体FET、SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ対FDN302PD87Z |
| トランジスター | |||
| FDN302P | P-Channel 2.5VはPowerTrenchR MOSFET -20V、-2.4Aの55mの惟、3000-REELを指定した | オン・セミコンダクター | FDN304PZ対FDN302P |
| トランジスター | |||
| FDN304P_NL | 小さい信号のField-Effectのトランジスター、2.4A I （D）、20Vの1要素、P-Channel、ケイ素、金属酸化膜半導体FET、SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ対FDN304P_NL |
| トランジスター | |||
| FDN304PZ | P-Channel 1.8VはPowerTrenchR MOSFET -20V、-2.4Aの52mの惟、3000-REELを指定した | オン・セミコンダクター | FDN304PZ対FDN304PZ |
| トランジスター | |||
| FDN304PZ_NL | 小さい信号のField-Effectのトランジスター、2.4A I （D）、20Vの1要素、P-Channel、ケイ素、金属酸化膜半導体FET、SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ対FDN304PZ_NL |
| トランジスター | |||
| FDN304P | P-Channel 1.8VはPowerTrenchR MOSFET -20V、-2.4Aの52mの惟、3000-REELを指定した | オン・セミコンダクター | FDN304PZ対FDN304P |
| トランジスター | |||
| FDN302PS62Z | 小さい信号のField-Effectのトランジスター、2.4A I （D）、20Vの1要素、P-Channel、ケイ素、金属酸化膜半導体FET、SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ対FDN302PS62Z |
| トランジスター | |||
| FDN302PL99Z | 小さい信号のField-Effectのトランジスター、2.4A I （D）、20Vの1要素、P-Channel、ケイ素、金属酸化膜半導体FET、SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ対FDN302PL99 |
| トランジスター |
記述
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