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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Infineon |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | STP80NF70 |
STP80NF70データ用紙
プロダクト細部
STP80NF70はSTMicroelectronics独特なSTripFET™のプロセスとN-channel力MOSFET実現したである。とりわけ入力キャパシタンスおよびゲート充満を最小にすることを設計した。従って装置は高度の高性能の転換の適用で適している。
■例外的なdv/dtの機能
■100%のなだれはテストした
■転換の適用
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | STMicroelectronics |
| 製品カテゴリ | 単一FETs - |
| シリーズ | N-channel STripFET |
| 包装 | 管 |
| 単位重量 | 0.011640 oz |
| 土台式 | 穴を通して |
| パッケージ場合 | TO-220-3 |
| 技術 | Si |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 構成 | 単一 |
| トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
| Pd力消滅 | 190 W |
| 最高使用可能温度 | + 175 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| 落下時間 | 75 ns |
| 立上り時間 | 60 ns |
| Vgsゲート源電圧 | 20ボルト |
| ID （下水管の流れ） | 98 A |
| Vds下水管源故障電圧 | 68ボルト |
| Vgs Thゲート源境界電圧 | 4ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 9.8のmOhms |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 90 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 17 ns |
| Qgゲート充満 | 75 NC |
| 相互コンダクタンス | 60 S |
| チャネル モード | 強化 |
記述
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