SI7196DP-T1-E3データ用紙
プロダクト細部
RT8298は低い側面の外部力MOSFETのための統合された高い側面内部力MOSFETそしてゲートの運転者が付いている同期軽減するDC/DCのコンバーターである。それは4.5Vからの24V入力供給に6A出力電流まで渡すことができる。
4.5Vへの24Vは電圧範囲を入れた
6A出力電流
45mΩInternal高い側面N-MOSFET
現在のモード制御
600kHz転換の頻度
0.8Vからの15Vへの調節可能な出力
95%まで効率
内部補償
陶磁器のコンデンサーが付いている馬小屋
同期外的な時計:300kHzへの1.5MHz
周期によ周期の現在の限界
電圧閉鎖の下の入力
電圧保護の下の出力
力のよい表示器
熱操業停止の保護
迎合的な自由なRoHSおよびハロゲン
分散パワー系統の負荷調整装置のポイント
デジタル セット トップ ボックス
デジタル個人的なレコーダー
広帯域通信
フラット パネルTVおよびモニター
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | VISHAY |
| 製品カテゴリ | 単一FETs - |
| シリーズ | SI71xxDx |
| 包装 | 巻き枠 |
| 一部別名 | SI7196DP-E3 |
| 単位重量 | 0.017870 oz |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | SO-8 |
| 技術 | Si |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 構成 | 単一 |
| トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
| Pd力消滅 | 5 W |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| 落下時間 | 12 ns |
| 立上り時間 | 12 ns |
| Vgsゲート源電圧 | 20ボルト |
| ID (下水管の流れ) | 15.8のA |
| Vds下水管源故障電圧 | 30ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 11のmOhms |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 22 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 21 ns |
| チャネル モード | 強化 |
記述
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