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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | International Rectifier |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | AUIRFN8401TR |
AUIRFN8401TRのデータ用紙
プロダクト細部
記述
具体的には自動車適用のために設計されていて、このHEXFET®力MOSFETはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに最も最近の加工の技巧を利用する。この設計の付加的な特徴は175°C接続点実用温度、速く切り替え速度および改善された反復的ななだれの評価である。これらの特徴はこのプロダクトに他の適用の自動車および多種多様の使用のための非常に有効な、信頼できる装置をするために結合する。
•高度の加工技術
•超低いオン抵抗
•175°C実用温度
•速い切換え
•Tjmaxまで許可される反復的ななだれ
•無鉛、迎合的なRoHS
•修飾される自動車*
•運動制御
•逆電池の保護
•重負荷
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | 国際的な整流器 |
| 製品カテゴリ | 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - |
| 包装 | 巻き枠 |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | PQFN-8 |
| 技術 | Si |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 構成 | 単一 |
| トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
| Pd力消滅 | 4.2 W |
| 最高使用可能温度 | + 175 C |
| 実用温度範囲 | - 55C |
| 落下時間 | 12 ns |
| 立上り時間 | 13 ns |
| Vgsゲート源電圧 | 20ボルト |
| ID （下水管の流れ） | 84 A |
| Vds下水管源故障電圧 | 40ボルト |
| Vgs Thゲート源境界電圧 | 3ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 4.6のmOhms |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 22 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 6.1 ns |
| Qgゲート充満 | 44 NC |
| 相互コンダクタンス | 144 S |
| チャネル モード | 強化 |
記述
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